1. 공정 가능한 기판 : Si wafers
2. 공정 가능한 Si 사이즈 : 2”, 3” , 4”, 5” ,6” , 8”, 12”
3. 배치당 Min수량 : 25장

4. 공정 순서
  Wafer Cleaning Open=> Wafer Cleaning of BOE ( Buffer Oxide Etchant) =>
  Thermal Oxidation ( Wet or Dry ) => Thcikness data by Nano spec=>Air Zero Package
5. Thermal Oxidation 방법 : Wet or Dry Oxidation
6. Thermal Oxidation Thickness : Dry (500A~3,000A)
                                               Wet ( 1,000A~3um)
7. 관리 Uniformity : Wafer to Wafer : 3%이내
                           In wafers : 3%이내
  단, 2”,3”,5”는 작업은 가능하나 Quartz Boat를 4인치 6인치를 사용하는 관계로 Uniformity가 다소 높을 수 있습니다.
  하지만, Passivation으로 역할은 충분합니다.

8. Delivery : 1주일이내 ( 필요하신 두께에 따라 조금씩 차이가 있을 수 있습니다.)
                 성적서 동봉, Air Zero Packing

 Dry Oxide AFM 측정결과     [RMS Roughness : 8.62Å , Ave Roughness : 6.42Å]

SiO2 Property

Property (Units)	Value	Property (Units)	Value
Density (g/cm3)	2.27	Melting point (℃)	=1700
Dielectric Constant	3.9	Molecular Weight	60.08
DC resistivity@250℃	10E16	Molecules/cm3	2.3 x 10E22
Energy gap (ev)	=9	Specific heat (J/g℃)	1.0 (J/g℃)
Thermal Conductivity (W/cm2℃)	0.014	Film Stress @25℃	2-4 x 10E18 dyne/cm2
Linear expansion (ppm/℃)	0.05	IR absorption peak (mm)	9.3
Refractive index	1.46	Etch rate BHF(49%) nm/min	100 (nm/min)

 SiO2 Thickness 별 Color (색깔 표현의 한계로 차이가 약간 있습니다.)

Film Thickness (Å)	Color	Film Thickness (Å)	Color
1,000	Dark violet to red violet	7,200	Blue green to green (quite broad)
2,000	Light gold or yellow ; slightly metallic	8,000	Orange (rather broad for orange)
3,000	Blue to violet blue	9,200	Blue green
4,100	Light orange	1um	Carnation pink
5,000	Blue green	1.21um	Violet red
6,000	Carnation pink	1.5um	Blue

Thickness 측정 방법

   한 캐리어의 25장 중 #1,#5,#10,#15,#20,#25번을 각 장마다 Top, Bottom, Left,, Right, Center
   5포인트 측정을 원칙으로 합니다.

* 한 웨이퍼의 평균 두께치 (Å) = C의두께+T의두께+B의두께+L의두께+R의두께 / 5
* 한 웨이퍼의 Uniformity (%) = (C,T,B,L,R중 최대치 두께-최저치 두께/ 2* 한 웨이퍼의 평균 두께치)*100

[Passivation 역할을 하는 SiO2를 놓고 Si Etching하는 방법]

TMAH 용액을 사용하면 oxide attack 없이 Si etching 이 가능합니다.
KOH 를 사용하시려면 Silicon Nitride 막을 사용하셔야 합니다.